前言

p-i-n光电探测器封装形式中极具趣味性的目标之一是将金属藕合到探测仪。因为探测仪和金属的规格都特别小，精准和确切的对准十分重要。现如今，在大部分情形下德国小钢炮一瓶10片多少钱什么样，这也是根据用时且成本费昂贵的积极对准技术性来保持的，该技术性涉及到在二极管工作中时独立调节每根金属，以获取较大回应并开展固定不动。因而，必须开发设计无源于对准技术性，其时长耗费更少、成本费更低，而且与此同时靠谱且有效合理。大家都知道，半导体器件的微机械加工制造是准确的，具备很好的大小操纵，它适合于完成准确的多孔结构，随后可以用以无源金属自对准。因其晶向蚀刻速度差异而发生的光伏电池各种各样干法有机化学蚀刻是一种完善且火爆的技术性。1该工艺已用以生产制造各种各样高精密无源多孔结构，随后用以固定不动金属和正确引导光源。但是，因为大部分电子光学元器件是由立即带隙化学物质半导体器件如InGaAs和InP做成的，因此这种元器件务必根据倒装句芯片设计组装在微机械加工制造的硅晶片内以开展金属对准。

为了更好地使光电器件更非常容易片式集成化，在像InP自身那样的衬底原材料中完成高精密多孔结构更便捷。在过去的的数年里，大家一直在积极主动科学研究开发设计各种各样技术性，用以在InP(100)芯片中生产制造相对高度精准的对准管沟。但是，InP的蚀刻在底切和因此造成的外壁轮廊层面提供了很多问题。闪锌矿结晶如InP和GaAs具备二种不一样种类的{111}面，他们很有可能在蚀刻时发生。在其中，{111}A表面停止于III族分子，而{111}B表面停止于V族分子。{111}B表面具备更多的化学反应性，由于在该表面上每一个分子有五个成键电子器件，比较之下，在{ 111 }B表面上每一个分子有三个成键电子器件{ 111 }一个斜面。在蚀刻时，当掩模边沿沿[01-1]方位趋向时，预估会产生具备{111}A琢型的V形槽。在[0-1-1]方位上，应当产生几乎竖德国小钢炮一瓶10片多少钱直的外壁。已经试着了多种多样蚀刻掩模和蚀刻溶液试验证明这一点。2-5在一些情形下，但是，而不是如在HCl:H3PO4溶液中应用SiO2或Ti做为蚀刻掩模时，会发生{111}面、{211}面和{311}面。2-4除此之外，据报道，在HCl:H3PO4 (5:1)溶液中应用光刻技术掩模的时候会产生比较严重的底切。5另一方面，德国小钢炮应用SiO2和Ti掩模的HBr基蚀刻系统软件会形成具备{ 111 }面的V形槽。

如上所述，有很多有关在InP中完成V形槽的公布参考文献。但是，大部分测试数据全是对于蚀刻深层低于25 m的状况发布的。Klocken- brink等人2探讨了蚀刻深层为120 m的V形槽，但她们的工作中仅限HCl:H3PO4蚀刻剂。在现阶段的工作上

V-对于规定蚀刻深层超过350 μm的特殊运用开展凹形槽蚀刻。这规定蚀刻更长的时长。蚀刻掩模如今起着更主要的功效，由于蚀刻剂与掩模原材料的相互影响很有可能致使比较严重的底切。为了更好地提升加工工艺，因而务必挑选适用于这类长期蚀刻的蚀刻剂和蚀刻掩模的最好组成。因此，大家应用Ti、Cr和等离子堆积的氮化硅蚀刻掩模对InP(100)衬底开展了干法有机化学趋向有关蚀刻(ODE)。还探讨了这种掩模原材料对底切水平的危害。HCl:H3PO4及其HBr:CH3COOH蚀刻系统软件已经用以科学研究蚀刻后的外壁视角及其表面光滑度。随后依据底切的水平、表面光泽度和V形槽的方面来明确蚀刻剂和蚀刻掩模的最好组成。

适度调节对话框规格，可以完成U形槽而不是V形槽(如下图1所显示)。当在曝露平面图相逢以前碰到蚀刻终止层时，会产生这样的事情。以后，InGaAs层务必根据可选择性蚀刻剂除去，不然它将一部分消化吸收来源于金属的光。这将造成凹形槽的光滑底边，随后可以用抗折射镀层涂敷该底边，以降到最低金属的反射面损害。也有n 层(p-i-n构造的)

薄厚已经提升到大概2 μm，促使当德国小钢炮壮阳药图片及价格

插进凹形槽，不容易捅穿和毁坏探测仪。根

V形槽的顺利完成是(I)衬底的结晶体据这一观念，在InP(100)上制做V形槽

衬底已强制执行。的四个关键层面

极致，(ii)掩模图案设计在指定角度上的精准对准，(iii)掩模原材料的优良黏附

和(iv)用以蚀刻InP的特殊蚀刻溶液。这种要素危害V形槽的具体样子、蚀刻时底切的水平及其曝露面的表面光泽度，全部这一些原因针对金属与探测仪的具体对准全是非常重要的。在现阶段的工作上，不一样的蚀刻掩模原材料及其各种各样蚀刻溶液已经被用以提升V形槽的生产制造。

应用HCl:H3PO4 (5:1)蚀刻系统软件(序号1)蚀刻截面。—钛做为蚀刻掩模。应用钛做为蚀刻掩模，在[01-1]方位上(顺着524 μm边沿)产生V形槽。在[0-1-1]方位，产生竖直壁。V形槽壁光洁，并且以35.3°的视角歪斜于(100)面，如下图2所显示。

2.这说明曝露的小平面并不是像

{111}面与{100}面所成的视角应是54.7°。据报道，在InP{111}A中，HCl的功效不容易造成表面。4从表面的偏斜视角看来，曝露的平面图被推论为{211}平面图。2，6在蚀刻15min后，V形槽平面图交叉于185 m的深层，相匹配的蚀刻速度约为12 m/min。掩模边沿的底切小到可以忽略。

铬做为蚀刻掩模。—铬不可以承担这类蚀刻溶液超出2min，因而不适宜作为1号ES的掩模。

因而，对话框不会再被有效地界定。蚀刻14min后，对话框的200米边变大到375米(几乎是其规格的二倍)。这可能是因为铬与InP的黏附能力差导致的。此前的分析工作人员已经观查到光致抗蚀剂掩模的底切状况，这通常是因为表面纯天然化合物和蚀刻剂中间的化学反应造成涂敷的光致抗蚀剂和InP衬底中间的附着力损害。6纯天然金属氧化物与HCl的化学德国小钢炮说明书反应速率比与HBr的反应速率快。这也许表述了为什么Cr不可以承受带有HCl的第一蚀刻剂(ES)。应用第二种蚀刻剂(ES no. 2)时，黏附力的损害并没有彻底除去掩模那麼强烈。但是，底切依然是非常值得考量的。在ES no. 2中，底切与应用Cr掩模的蚀刻深层之比约为0.6。不一样蚀刻时长的底切水平如下图6所显示。

为了更好地进一步科学研究HBr浓度值对底切的危害，蚀刻溶液的构成更改为HBr:CH3COOHo1:1。因为该溶液中HBr的含量较低，蚀刻速度减少至约7.5 m/min。但是，如下图6所显示，底切依然非常高，而且几乎随蚀刻时长线形提升。在该溶液中蚀刻35min后，在[0-1-1]方位上每一个掩模边沿处的底切为128 m。在该点处的蚀刻深层为260 m。在这样的情况下，底切与蚀刻深层的比例减少至0.49。这表明了大家的论点论据

底切的水平与纯天然化合物和蚀刻溶液的化学反应相关，由于发觉减少蚀刻溶液中HBr的含量会降低底切的水平。

结果

发展趋势了一种简易的全自动对准金属和光电探测器的技术性。三种不一样的蚀刻掩模原材料，即Ti、Cr和SiN用以在InP衬底中蚀刻V形槽，根据该槽可以插进金属并精准定位。应用2种不一样的蚀刻溶液来蚀刻InP。第一种蚀刻溶液(ES 1号)带有HCl∶h3po 4(5∶1)，另一种(ES 2号)含有HBr∶ch 3c ooh(3∶2)。已经发觉，尽管蚀刻溶液的选取影响了V形槽的方向及其表面光滑度，可是掩模原材料和堆积方式决策了底切的量。发觉Ti做为掩模原材料以最少的底切得出最佳的结论。在二种蚀刻溶液中，序号为2的蚀刻溶液是精选的，由于V形槽与表面的倾角比较大(54.7°)，因而，针对已知的对话框规格，可以蚀刻出相对性较深的槽。曝露墙面的表面光泽度根据下列方法获得改进。